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	<id>https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?action=history&amp;feed=atom&amp;title=BEDO-DRAM</id>
	<title>BEDO-DRAM - Versionsgeschichte</title>
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	<updated>2026-06-02T05:27:47Z</updated>
	<subtitle>Versionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale Kopie</subtitle>
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		<id>https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=BEDO-DRAM&amp;diff=562483&amp;oldid=prev</id>
		<title>imported&gt;Christoph Franzen: Kleinigkeiten</title>
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		<updated>2017-07-26T22:50:30Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Kleinigkeiten&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;Neue Seite&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;Die Abkürzung &amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;BEDO-DRAM&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;, kurz für {{enS|&amp;#039;&amp;#039;Burst Extended Data Out DRAM&amp;#039;&amp;#039;}}, bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein. Dabei handelt es sich um eine spezielle Variante eines {{lang|en|&amp;#039;&amp;#039;[[Extended Data Output Random Access Memory|Extended Data Out DRAM]]&amp;#039;&amp;#039;}} (EDO-DRAM), d.&amp;amp;nbsp;h., ein [[dynamisches RAM]] (DRAM) bei denen die Ausgabedaten länger als normal anliegen und so einen schnelleren Zugriff auf die nächste Speicheradresse erlaubt.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Datei:DRAM_Burst_Read_EDO.png|mini|&amp;#039;Burst Read&amp;#039; eines asynchronen BEDO-DRAMs. Hier musste noch für jedes Burst-Bit die zugehörige Spaltenadresse (&amp;#039;&amp;#039;Col&amp;#039;&amp;#039;) vorgegeben werden.]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Im Unterschied zum EDO-DRAM wurde beim BEDO-DRAM die interne Steuerung dahingehend geändert, dass Daten in einem sogenannten [[Dynamic Random Access Memory#Burst|Burst]] (dt. ungefähr &amp;#039;&amp;#039;Häufung&amp;#039;&amp;#039;) gelesen werden können, d.&amp;amp;nbsp;h., nach dem Anlegen einer Adresse kann die nachfolgende Speicheradressen einer Zeile in nur einem Taktzyklus gelesen werden. Dazu wird beim ersten Zugriff die Spalten- und Zeilenadresse wie beim normalen DRAM mit [[Dynamic Random Access Memory#RAS|RAS]] ({{lang|en|&amp;#039;&amp;#039;Row Address Strobe&amp;#039;&amp;#039;}}, Adressabtastimpuls für die Spalte) und [[Dynamic Random Access Memory#CAS|CAS]] ({{lang|en|&amp;#039;&amp;#039;Column Address Strobe&amp;#039;&amp;#039;}}, Adressabtastimpuls für die Spalte) angelegt. Für den Zugriff auf nachfolgende Speicherzellen der gleichen Zeile wird jedoch nur noch ein CAS-Signal genutzt. Dabei wird beim Aktivieren des CAS-Signals der interne Adresszähler erhöht, dies wird als Burst-Mode bezeichnet und erlaubt einen schnelleren Speicherzugriff auf aufeinander folgende Speicheradressen.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Da nur wenige Chipsätze unterstützt wurden, konnte sich diese Technik nicht am Markt durchsetzen.&amp;lt;ref&amp;gt;{{Literatur | Autor = Thomas Flik | Titel = Mikroprozessortechnik und Rechnerstrukturen | Verlag = Springer | Jahr = 2007 | ISBN = 9783540267164|Seiten=695}}&amp;lt;/ref&amp;gt;  &lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Quellen ==&lt;br /&gt;
* {{Literatur | Autor = Rolf Klaus, Hans Käser | Titel = Grundlagen der Computertechnik. | Verlag = vdf Hochschulverlag AG | Jahr = 1998 | ISBN = 9783728124753 | Seiten = 85}}&lt;br /&gt;
* {{Literatur | Autor = Axel Sikora | Titel = Taschenbuch Digitaltechnik | Verlag = Hanser Verlag | Jahr = 2007 | ISBN = 9783446409033 | Seiten = 320}}&lt;br /&gt;
* {{Literatur | Autor = Klaus Urbanski, Roland Woitowitz | Titel = Digitaltechnik: Ein Lehr- und Ubungsbuch | Verlag = Springer | Jahr = 2004 | ISBN = 9783540401803 | Seiten = 230–231}}&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Einzelnachweise ==&lt;br /&gt;
&amp;lt;references /&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Speicherbaustein]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>imported&gt;Christoph Franzen</name></author>
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