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	<title>Aluminiumgalliumnitrid - Versionsgeschichte</title>
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	<updated>2026-06-08T21:44:06Z</updated>
	<subtitle>Versionsgeschichte dieser Seite in Wikipedia (Deutsch) – Lokale Kopie</subtitle>
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		<id>https://wiki-de.moshellshocker.dns64.de/index.php?title=Aluminiumgalliumnitrid&amp;diff=2784415&amp;oldid=prev</id>
		<title>imported&gt;Cepheiden: Quellenangaben verbessert.</title>
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		<updated>2020-09-01T22:21:38Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Quellenangaben verbessert.&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;Neue Seite&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;Aluminiumgalliumnitrid&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039; ([[Aluminium|Al]][[Gallium|Ga]][[Stickstoff|N]] Al&amp;lt;sub&amp;gt;x&amp;lt;/sub&amp;gt;Ga&amp;lt;sub&amp;gt;1-x&amp;lt;/sub&amp;gt;N) ist eine Legierung aus [[Aluminiumnitrid]] (AlN) und [[Galliumnitrid]] (GaN) und zählt zu der Gruppe der [[III-V-Verbindungshalbleiter]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Die [[Legierung]] dient als Werkstoff zur Herstellung von [[Leuchtdiode]]n (LED) vom sichtbaren grünen Farbbereich bis zum [[Ultraviolettstrahlung|UV-C-Bereich]] mit [[Wellenlänge]]n knapp unter 250&amp;amp;nbsp;[[Nanometer|nm]]. Die konkrete Wellenlänge wird im Rahmen der Herstellung durch Variation des Mischungsverhältnisses von Aluminiumnitrid zu Galliumnitrid eingestellt.&amp;lt;ref&amp;gt;{{Literatur |Autor=K. Sairam |Titel=Optical Communications |Verlag=Laxmi Publications |Datum=2008 |ISBN=978-81-318-0242-7 |Seiten=68–69}}&amp;lt;/ref&amp;gt; Im Jahr 2016 zeigten [[Shuji Nakamura|Nakamura]] et al. eine grün emittierende LED-Entwicklung auf Basis von Al&amp;lt;sub&amp;gt;0.30&amp;lt;/sub&amp;gt;Ga&amp;lt;sub&amp;gt;0.70&amp;lt;/sub&amp;gt;N, die eine maximale Lichtausbeute von 239&amp;amp;nbsp;lm/W bei ca. 525&amp;amp;nbsp;nm hatte.&amp;lt;ref&amp;gt;{{Literatur | Autor = Abdullah I. Alhassan u.&amp;amp;nbsp;a. | Titel = High luminous efficacy green light-emitting diodes with AlGaN cap layer | Sammelwerk = Optics Express | Band = 24 | Datum = 2016-08-08 | Nummer = 16 | Seiten = 17868–17873 | DOI= 10.1364/OE.24.017868}}&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Weitere Anwendung des III-V-Verbindungshalbleiters liegen als Werkstoff bei [[High-electron-mobility transistor|High-Electron-Mobility-Transistoren]] (HEMT) als Detektor für ultraviolette Strahlung. Zur Bildung von [[Heteroübergang|Heteroübergängen]] in der [[Halbleitertechnik]] wird die Legierung Aluminiumgalliumnitrid gemeinsam mit den beiden Ausgangshalbleitern Aluminiumnitrid und Galliumnitrid eingesetzt.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Literatur ==&lt;br /&gt;
*{{Literatur&lt;br /&gt;
   |Autor=Stephen J. Pearton, Cammy R. Abernathy, Fan Ren&lt;br /&gt;
   |Titel=Gallium Nitride Processing for Electronics, Sensors and Spintronics&lt;br /&gt;
   |Verlag=Springer&lt;br /&gt;
   |Ort=London&lt;br /&gt;
   |Datum=2010&lt;br /&gt;
   |ISBN=978-1-84996-965-9}}&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Einzelnachweise ==&lt;br /&gt;
&amp;lt;references /&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Verbindungshalbleiter]]&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Aluminiumverbindung]]&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Galliumverbindung]]&lt;br /&gt;
[[Kategorie:Nitrid]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>imported&gt;Cepheiden</name></author>
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