Quelltext der Seite Pedestalverfahren

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Das '''Pedestalverfahren''' ist ein Verfahren zur Herstellung von hochreinen [[einkristall]]inen [[Werkstoff]]en ([[Kristallzucht]]).

== Technik ==
Ein schon vorbereiteter, gereinigter Stab (oder eine Säule) mit noch [[polykristallin]]er [[Kristallgitter|Kristallstruktur]] befindet sich in einer Schutzatmosphäre. Durch eine [[Induktionsheizung]] über dem Vorratsstab wird an seiner Stirnseite Material aufgeschmolzen. Damit die Zone gleichmäßig aufschmilzt, rotiert der Stab langsam. Die aufgeschmolzene Zone wird mit einem [[Impfkristall]] in Berührung gebracht und wächst unter Annahme seiner Kristallstruktur an ihm an. Im Gegensatz zum [[Zonenschmelzverfahren]] wird der [[Kristall]] nach oben aus der Schmelze gezogen, ähnlich wie beim [[Czochralski-Verfahren]], nur wird hier kein Tiegel eingesetzt und damit ist die Reinheit wie beim Zonenschmelzverfahren gegeben. Allerdings sind bisher nur kleine Durchmesser (bis etwa 50 mm) möglich. Der Vorratsstab wird unter Beibehaltung des Abstandes zur Induktionsspule nachgeführt. Fremdatome verbleiben weitestgehend in der Schmelzzone und lagern sich schließlich am Ende des Vorratsstabes ab.

Eine [[Dotierung]] kann durch Beigabe [[gas]]förmiger Stoffe, die dann in die Schmelze eindringen, und/oder durch Einbringen von Metallstücken, erreicht werden. 

== Anwendung ==
Mit diesem Verfahren ist die Herstellung von hochreinem [[Silizium]] und anderen Materialien möglich, jedoch ist es mit sehr hohen Kosten verbunden. Man kann aus dicken Vorratsstäben dünne hochreine Kristalle ziehen.

[[Kategorie:Urformendes Fertigungsverfahren]]
[[Kategorie:Kristallzüchtung]]