Quelltext der Seite Indium-Gallium-Zink-Oxid

'''Indium-Gallium-Zink-Oxid''' ('''IGZO''') ist ein [[Halbleiter]]&shy;material, das als Kanal für einen transparenten [[Dünnschichttransistor]] verwendet werden kann. Es ersetzt [[amorphes Silicium]] als aktive Schicht in einem LC-Bildschirm und ermöglicht mit einer 40-mal höheren Elektronenbeweglichkeit gegenüber amorphem [[Silicium]] kleinere [[Pixel]] (für Bildschirmauflösungen höher als die von [[High Definition Television|HDTV]]) und schnellere Reaktionsgeschwindigkeit für einen Bildschirm.

Der Vorteil gegenüber [[Zinkoxid]] ist, dass es als einheitliche amorphe Phase abgeschieden werden kann (unter Beibehaltung der hohen [[Ladungsträgerbeweglichkeit]] des [[Oxide|Oxid]]-Halbleiters). Die Transistoren sind etwas lichtempfindlich, aber der Effekt wird nur im tiefvioletten bis ultravioletten Bereich ([[Photon]]en&shy;energie oberhalb von 3&nbsp;[[Elektronenvolt|eV]]) sichtbar und bietet die Möglichkeit eines vollständig transparenten Transistors.

== Literatur ==
* {{Literatur |Autor=Chiao-Shun Chuang et al. |Titel=P-13: Photosensitivity of Amorphous IGZO TFTs for Active-Matrix Flat-Panel Displays |Sammelwerk=SID Symposium Digest of Technical Papers |Band=39 |Nummer=1 |Datum=2008 |Seiten=1215–1218 |Online=http://www.eecs.umich.edu/omelab/downloads/Photosensitivity%20of%20Amorphous%20IGZO%20TFTs%20for%20Active-Matrix%20Flat-Panel%20Displays.pdf |Format=PDF |KBytes= |DOI=10.1889/1.3069354}}

[[Kategorie:Verbindungshalbleiter]]
[[Kategorie:Indiumverbindung]]
[[Kategorie:Galliumverbindung]]
[[Kategorie:Zinkverbindung]]
[[Kategorie:Oxid]]