Quelltext der Seite Hellmut Fritzsche

'''Hellmut Fritzsche''' (* [[20. Februar]] [[1927]] in [[Berlin]]; † [[17. Juni]] [[2018]]<ref>{{Internetquelle|url=https://www.legacy.com/obituaries/tucson/obituary.aspx?pid=189378597|titel=Hellmut and Sybille C. Fritzsche: Obituary|werk=Arizona Daily Star|hrsg=Legacy.com|datum=2018-06-24|zugriff=2018-06-25|sprache=en}}</ref>) war ein deutsch-US-amerikanischer Festkörperphysiker.

Fritzsche ging nach dem Diplom an der [[Universität Göttingen]] 1952 in die USA. 1954 wurde er an der [[Purdue University]] promoviert, wo er im selben Jahr Instructor und 1955 Assistant Professor wurde. 1957 ging er als Assistant Professor an die [[University of Chicago]], wo er 1963 Professor wurde und das bis zu seiner Emeritierung 2004 blieb. Zeitweise war er Vorstand der Physik-Fakultät.

Fritzsche ist bekannt für Arbeiten über den [[Metall-Isolator-Übergang]] in [[Dotierung|dotierten Halbleitern]] und über amorphe (nicht-kristalline) Materialien, zum Beispiel [[Amorphes Silicium|amorphem Silizium]] und insbesondere zur Rolle von eingebautem Wasserstoff<ref>{{Literatur |Autor=Fritzsche,  Tanielian, Tsai, Gaczi |Titel=Hydrogen content and density of plasma deposited amorphous silicium |Sammelwerk=J. Applied Physics |Band=50 |Datum=1979 |Seiten=3366}}</ref> in der Verbesserung von dessen elektronischen Eigenschaften.

Ab 1967 war er Vizepräsident und Mitglied des Leitungsrats von Energy Conversion Devices Incorporated, der Entwicklungsfirma (zum Beispiel [[Solarzellen]], Batterien) von [[Stanford Ovshinsky]], mit dem er eng über die Anwendung amorpher Materialien zusammenarbeitete.

1989 erhielt er den [[Oliver E. Buckley Condensed Matter Prize]]<ref>{{Internetquelle |url=https://www.aps.org/programs/honors/prizes/prizerecipient.cfm?last_nm=Fritzsche&first_nm=Hellmut&year=1989 |titel=1989 Oliver E. Buckley Condensed Matter Physics Prize Recipient: Hellmut Fritzsche |hrsg=APS |zitat=For his seminal transport studies of impurity band conduction near the metal-insulator transition and his leadership in our understanding of amorphous semi-conductors |zugriff=2018-02-24}}</ref>. 1988 wurde er [[Ehrendoktor]] der Purdue University. 2004 erhielt er den ''Stanford R. Ovshinsky Award for Excellence in Non-Crystalline Chalcogenides''.<ref>{{Literatur |Online=https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssb.201200348/pdf |Format=pdf |Sprache=en |Titel=Stanford R. Ovshinsky Prize for Excellence in Amorphous Chalcogenides Past & Present |Autor=Mihai Popescu |Sammelwerk=Phys. Status Solidi B |Band=249 |Nummer=10 |Seiten=1835–1836 |Datum=2012 |DOI=10.1002/pssb.201200348}}</ref>

== Schriften ==
* Herausgeber: ''Amorphous Silicium and related materials'', Teil A, B, World Scientific 1989
* Herausgeber: ''Transport, correlation and structural defects'', World Scientific 1990
* Herausgeber mit David Adler: ''Localization and metal-insulator transitions'', Plenum Press 1985 (Bd. 3 einer Festschrift für [[Nevill Francis Mott]])
* ''Electronic phenomena in amorphous semiconductors'', ''Annual Review of Material Science'', Bd. 2, 1972, S. 697–744
* Herausgeber mit Brian Schwartz: ''Stanford R. Ovshinsky - the science and technology of an american genius'', World Scientific 2008

== Weblinks ==
* {{Internetquelle |url=https://history.aip.org/phn/11510003.html |titel=Hellmut Fritzsche. Biography |werk=Physics History Network |hrsg=AIP |sprache=en |zugriff=2018-02-24 |abruf-verborgen=1}}
* {{Internetquelle |url=https://www.physics.purdue.edu/alumni/hondegree/fritzsche.html |titel=Helmut Fritzsche, Honorary Degree Recipient |hrsg=Purdue University |datum=1987-10-29 |sprache=en |zugriff=2018-02-24 |abruf-verborgen=1}}
* {{Internetquelle |url=https://photoarchive.lib.uchicago.edu/db.xqy?one=apf7-00290.xml |titel=Foto von 1986 |hrsg=University of Chicago |zugriff=2018-02-24 |abruf-verborgen=1}}

== Einzelnachweise ==
<references />

{{Normdaten|TYP=p|GND=1286036399|LCCN=n85078869|VIAF=35881213}}

{{SORTIERUNG:Fritzsche, Hellmut}}
[[Kategorie:Physiker (20. Jahrhundert)]]
[[Kategorie:Hochschullehrer (University of Chicago)]]
[[Kategorie:Ehrendoktor der Purdue University]]
[[Kategorie:Deutscher Emigrant in den Vereinigten Staaten]]
[[Kategorie:Deutscher]]
[[Kategorie:US-Amerikaner]]
[[Kategorie:Geboren 1927]]
[[Kategorie:Gestorben 2018]]
[[Kategorie:Mann]]

{{Personendaten
|NAME=Fritzsche, Hellmut
|ALTERNATIVNAMEN=
|KURZBESCHREIBUNG=deutsch-US-amerikanischer Physiker
|GEBURTSDATUM=20. Februar 1927
|GEBURTSORT=[[Berlin]]
|STERBEDATUM=17. Juni 2018
|STERBEORT=
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