Quelltext der Seite Grabentechnik

Die '''Grabentechnik'''<ref>{{Literatur |Autor=Dietrich Widmann, Hermann Mader, Hans Friedrich |Titel=Technologie hochintegrierter Schaltungen |Verlag=Springer|Ort=Berlin/Heidelberg |Datum=1988 |ISBN=3642970591 |Seiten=93 ff.}}</ref> ({{enS|trench technology}}<ref>{{Literatur |Autor=Robert Doering, Yoshio Nishi |Titel=Handbook of semiconductor manufacturing technology |Auflage=2nd |Verlag=CRC Press |Ort=Boca Raton |Datum=2008 |ISBN=978-1-4200-1766-3 |Seiten=14-25 ff.}}</ref>) ist ein [[Halbleitertechnik|Halbleiterherstellungsprozess]], der insbesondere bei der Herstellung von [[DRAM]] Verwendung findet. Zentrales Element dieser Technik ist der (tiefe) Graben- bzw. Loch[[Kondensator (Elektrotechnik)|kondensator]].

== Beschreibung ==
[[Datei:DRAM-Zelle (trench).svg|mini|Querschnitt (Schema) einer DRAM-Zelle in Planar-Technologie. Der [[Kondensator (Elektrotechnik)|Kondensator]] ist als „Grabenkondensator mit [[Polysilizium]]-Platte“ ({{enS|poly plate trench capacitor}}).]]

Die in der Grabentechnik genutzten Gräben werden durch [[Reaktives Ionentiefenätzen|reaktives Ionenätzen]] in den [[Silizium]]-[[Wafer]] geätzt, anschließend innen mit einem [[Dielektrikum]] beschichtet und mit einem elektrisch leitfähigen Material, so dass ein Kondensator entsteht. Die entstehenden Gräben können ein [[Aspektverhältnis (Strukturierung)|Aspektverhältnis]] (Verhältnis Tiefe zu Öffnungsdurchmesser) von bis zu 70:1 (tiefe Gräben, {{lang|en|deep trench}}; Stand 2004<ref>Karin Braeckle: ''[http://www.innovations-report.de/html/berichte/informationstechnologie/bericht-37770.html Infineon präsentiert Durchbruch bei der DRAM-Trench-Technologie].'' Auf: ''innovations-report.'' 14. Dezember 2004</ref>) aufweisen. Dies ermöglicht bei wenig Platzverbrauch eine ausreichend große Oberfläche für den Speicherkondensator für DRAM-Zellen und somit die notwendigen Kapazitäten zu erreichen.

Eine mögliche Anwendung für solche Grabenkondensatoren ist der Einsatz als Speicherkondensator in DRAM-Zellen. Da die präzise Fertigung tiefer Gräben/Löcher und die Beschichtung der Innenseiten sehr kompliziert ist, nutzt sie heutzutage (2009) keiner der größeren Speicherhersteller mehr. Stattdessen nutzen diese die sogenannte [[Stack-Technik]], bei der der Speicherkondensator oberhalb, das heißt in aufgebrachten Schichten, aufgebaut wird. Der letzte größere Hersteller mit Grabentechnik war [[Qimonda]], der 2008 mit der Entwicklung der {{lang|en|Buried-Wordline}}-Technik<ref>Qimonda (Hrsg.): ''{{Webarchiv|url=http://www.qimonda.com/promopages/buried-wordline/index.html |wayback=20090221092313 |text=Buried Wordline |archiv-bot=2023-05-15 05:59:43 InternetArchiveBot }}.'' Auf: ''Qimonda-Website.'' Abgerufen am 7. Februar 2009</ref> ebenfalls auf eine {{lang|en|Stack}}-Kondensator umgestiegen ist.

In der [[BCD-Technologie]] werden tiefe Gräben genutzt, um das Substratmaterial von der Vorderseite zu kontaktieren und Bauelemente/Baugruppen auch im Bereich der tiefen Wannen elektrisch voneinander zu isolieren. Sie erfüllen somit eine ähnliche Funktion wie die flachen Gräben in planaren CMOS-Schaltkreisen und werden in Anlehnung daran auch als tiefe [[Grabenisolation]] ({{lang|en|deep trench isolation}}) genannt.

== Einzelnachweise ==
<references />

[[Kategorie:Halbleiterbauelement]]