Quelltext der Seite Dawon Kahng

{{Koreanischer Name|Hangeul=강대원|Hanja=姜大元|Rr=Gang Dae-won|Mr=Kang Taewŏn}}
'''Dawon Kahng''' (* [[4. Mai]] [[1931]] in [[Seoul|Keijō]], Unterprovinz [[Gyeonggi-do|Keikidō]], Provinz [[Korea unter japanischer Herrschaft|Chōsen]], damaliges [[Japanisches Kaiserreich]], heutiges [[Südkorea]]; † [[13. Mai]] [[1992]] in [[New Brunswick]], [[New Jersey]]<ref>{{Internetquelle|url=https://www.computerhistory.org/semiconductor/people.html|titel=Dawon Kahng|zugriff=2010-07-06|datum=|hrsg=Computer History Museum}}</ref>) war ein südkoreanischer [[Physiker]] und Präsident des [[NEC Corporation|NEC Research Institute]]. Seine Erfindungen führten zu erheblichen Fortschritten in der [[Elektronik]] bzw. [[Mikroelektronik]].

== Leben und Werk ==
Nach dem Dienst in der [[südkoreanische Marineinfanterie|südkoreanischen Marineinfanterie]] studierte Kahng zunächst Physik an der [[Seoul National University]]. Dort machte er einen Abschluss als [[Bachelor|Bachelor of Science]] (B.Sc.). Anschließend [[Auswanderung|emigrierte]] D. Kahng 1955 in die [[Vereinigte Staaten|USA]], um an der [[Ohio State University]] zu studieren. Nach einem Abschluss als [[Master|Master of Science]] (M.Sc.)<ref>{{Literatur | Autor=Dawon Kahng | Titel=The thermionic emission microscope| Jahr=1956|Kommentar=Master-Arbeit an der Ohio State University, 1956|OCLC=53452289}}</ref> promovierte (Ph.D.) er 1959<ref>{{Literatur | Autor=Dawon Kahng | Titel=Phosphorus diffusion into silicon through an oxide layer| Jahr=1959|Kommentar=Doktorarbeit an der Ohio State University, 1959|OCLC=53452289}}</ref>. Anschließend wurde er Mitarbeiter der [[Bell Laboratories|Bell Telephone Laboratories]], heute [[Lucent Technologies]], in [[Murray Hill (New Jersey)|Murray Hill]], NJ. Dort arbeitete er unter [[Martin M. Atalla]] an der Herstellung des [[Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor]] (MOSFET) auf Basis des Halbleiters [[Silicium]]s, welchen sie gemeinsam 1959 entwickelten und 1960 auf der {{lang|en|''IRE Solid-State Device Research Conference''}} vorstellten.<ref>{{Literatur | Autor=D. Kahng, M. M. Atalla | Titel=Silicon-silicon dioxide surface device | Sammelwerk=IRE Device Research Conference, Pittsburg | Jahr=1960}}</ref> Ebenfalls 1960 wurde ein entsprechendes [[Patent]]<ref>{{Patent|Land=US|V-Nr=3102230|Erfinder=D. Kahng|Titel=Electric field controlled semiconductor device|A-Datum=1960-05-31|V-Datum=1963}}</ref> angemeldet. Seitdem hat sich der MOSFET zu einem der wichtigsten Bauelemente im Rahmen der [[CMOS-Technik]] entwickelt und bildet heute in millionen- und milliardenfacher Ausführung das Grundelement der meisten [[Integrierter Schaltkreis|integrierten Schaltungen]].

Kahng blieb bis zu seiner Pensionierung im Jahr 1988 bei den Bell Laboratories. Dort leitete und beaufsichtigte er unter anderem Forschungsgruppen im Bereich Hochfrequenz-[[Schottky-Diode]]n, [[Ferroelektrikum|ferroelektrische]] [[Halbleiter]], Halbleiter mit großem [[Bandlücke|Bandabstand]], [[CCD-Sensor]]en und [[Flash-Speicher]]. Für seine Arbeiten erhielt Kahng diverse Auszeichnungen, darunter die [[Stuart Ballantine Medal]] des [[Franklin Institute]] (1975) und der [[Distinguished Alumni Award]] der Ohio State University, College of Engineering. Nach seinem Ausscheiden aus den Bell Laboratories wurde Kahng Gründungspräsident des [[NEC Research Institute]], das langfristige Grundlagenforschung im Bereich Computer- und Kommunikationstechnologien betreibt.

D. Kahng starb am 13. Mai 1992 im St. Peter’s Hospital in New Brunswick an Komplikationen nach einer Notoperation wegen eines [[ruptur]]ierten [[Aortenaneurysma]]. Kahng hinterließ seine Frau Young Hee und fünf Kinder: Kim U., Vivienne, Lily, Eileen und Dwight.

== Quellen ==
*{{Internetquelle|url=http://www.nytimes.com/1992/05/28/nyregion/dr-dawon-kahng-61-inventor-in-field-of-solid-state-electronics.html|titel=Dr. Dawon Kahng, 61, Inventor In Field of Solid-State Electronics|zugriff=2010-07-06|datum=1992-05-28|autor=Lee A. Daniels}}
*{{Literatur | Autor= | Titel=Contributors. Dawon Kahng | Sammelwerk=IEEE Transactions on Electron Devices| Jahr=1976|Seiten=787|Band=23|Nummer=7|Kommentar=Lebenslauf von Dawon Kahng}}

== Einzelnachweise ==
<references />

{{Normdaten|TYP=p|LCCN=n81055972|VIAF=16090451|GNDfehlt=ja|GNDCheck=2025-05-22}}

{{SORTIERUNG:Kahng, Dawon}}
[[Kategorie:Persönlichkeit der Elektrotechnik]]
[[Kategorie:Südkoreanischer Emigrant in den Vereinigten Staaten]]
[[Kategorie:Südkoreaner]]
[[Kategorie:Geboren 1931]]
[[Kategorie:Gestorben 1992]]
[[Kategorie:Mann]]
[[Kategorie:Elektroingenieur]]
[[Kategorie:Computeringenieur]]

{{Personendaten
|NAME=Kahng, Dawon
|ALTERNATIVNAMEN=강대원 (koreanisch, Hangeul); 姜大元 (koreanisch, Hanja); Gang, Dae-won (Revidierte Romanisierung); Kang, Taewŏn (McCune-Reischauer)
|KURZBESCHREIBUNG=südkoreanischer Physiker
|GEBURTSDATUM=4. Mai 1931
|GEBURTSORT=[[Seoul|Keijō]], Unterprovinz [[Gyeonggi-do|Keikidō]], Provinz [[Korea unter japanischer Herrschaft|Chōsen]], damaliges [[Japanisches Kaiserreich]], heutiges [[Südkorea]]
|STERBEDATUM=13. Mai 1992
|STERBEORT=[[New Brunswick]], New Jersey
}}