Quelltext der Seite Alexei Lwowitsch Efros

'''Alexei Lwowitsch Efros''' ({{ruS|Алексей Львович Эфрос}}; * [[11. August]] [[1938]] in [[Sankt Petersburg|Leningrad]])<ref>Lebens- und Karrieredaten nach ''American Men and Women of Science'', Thomson Gale 2004</ref> ist ein russisch-US-amerikanischer theoretischer [[Festkörperphysik]]er.

Efros studierte an der [[Staatliche Polytechnische Universität Sankt Petersburg|Staatlichen Technischen Universität Leningrad]] mit dem Diplomabschluss 1961. Ab 1961 war er Wissenschaftler am [[Joffe-Institut]] in Leningrad (ab 1985 als leitender Wissenschaftler). 1962 wurde er dort promoviert (über ''Quantentheorie der Leitfähigkeit in starken magnetischen Feldern'') und 1972 habilitiert (russischer Doktortitel) mit der Arbeit ''Theorie stark dotierter Halbleiter''. 1985 bis 1989 war er außerdem Professor am Leningrader [[Elektrotechnische Universität Sankt Petersburg|Elektrotechnischen Institut]]. 1989 bis 1991 war er Gastprofessor an der [[University of California, Riverside]] und ab 1991 Professor an der [[University of Utah]]. Seit 1994 ist er dort ''Distinguished Professor''.

Er befasst sich mit Elektron-Elektron-Wechselwirkung und Transporttheorie in ungeordneten Halbleitersystemen inklusive Theorie der [[Hopping-Leitfähigkeit]] (siehe [[Bändertheorie]]). Efros und [[Boris Schklowski]] fanden einen ''Coulomb Gap'' an der [[Fermi-Energie]] in der Einteilchen-Zustandsdichte von Elektronen in lokalisierten Zuständen aufgrund der [[Coulomb-Wechselwirkung]] untereinander<ref>{{Literatur |Autor=A. L. Efros, B. I. Shklovskii |Titel=Coulomb gap and low temperature conductivity of disordered systems |Sammelwerk=Journal of Physics C: Solid State Physics |Band=8 |Nummer=4 |Datum=1975-02-21 |Seiten=L49–L51 |DOI=10.1088/0022-3719/8/4/003}}</ref> und sagten dessen Beobachtbarkeit bei tiefen Temperaturen durch Verminderung der Leitfähigkeit gegenüber der Theorie von [[Nevill Mott]] ({{lang|en|''Mott variable range hopping''}}) voraus ({{lang|en|''Efros Shklovskii variable range hopping''}})<ref>Efros, Shklovskii ''Electronic properties of doped semiconductors'' 1984</ref>. Ihre Theorie wurde experimentell bestätigt.<ref>{{Webarchiv | url=http://www.pi1.physik.uni-stuttgart.de/glossar/CoulombGap_e.php | wayback=20081120020308 | text=Glossar Festkörperphysik Universität Stuttgart}}</ref>

1986 erhielt er mit Efros den [[Landau-Preis]]. 1997 erhielt er einen [[Humboldt-Forschungspreis]]. Er ist seit 1992 Fellow der [[American Physical Society]]<ref>[https://www.aps.org/programs/honors/fellowships/archive-all.cfm?initial=&year=1992&unit_id=&institution=University+of+Utah APS Fellow Archive]</ref>, die ihm für 2019 ihren [[Oliver E. Buckley Condensed Matter Prize]] zusprach.

Er hat die US-Staatsbürgerschaft. Er ist seit 1994 verheiratet und hat zwei Söhne.

1987 bis 1989 war er Mitherausgeber von [[Soviet Physics-Solid State]] und 1987 bis 2000 von [[Solid State Communications]].

Er sollte nicht mit dem Festkörperphysiker [[Alexander Efros]], seinem Bruder, oder dem Informatiker [[Alexei A. Efros]], seinem Sohn, verwechselt werden.

== Schriften ==
* mit [[Boris Schklowski]] ''Electronic properties of doped semiconductors''. Springer Verlag 1984 (russisches Original, Nauka 1979)
* ''Physics and Geometry of Disorder''. MIR, Moskau 1986 (Englisch, die russische Ausgabe erschien 1982, auch ins Spanische und Estnische übersetzt)

== Weblinks ==
* [https://web.physics.utah.edu/~efros/vitae.html Homepage an der University of Utah]

== Einzelnachweise ==
<references />

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[[Kategorie:Physiker (20. Jahrhundert)]]
[[Kategorie:Russe]]
[[Kategorie:Geboren 1938]]
[[Kategorie:Mann]]
[[Kategorie:Fellow der American Physical Society]]

{{Personendaten
|NAME=Efros, Alexei Lwowitsch
|ALTERNATIVNAMEN=Эфрос, Алексей Львович (russisch); Efros, A. L.
|KURZBESCHREIBUNG=russisch-US-amerikanischer theoretischer Festkörperphysiker
|GEBURTSDATUM=11. August 1938
|GEBURTSORT=[[Sankt Petersburg|Leningrad]]
|STERBEDATUM=
|STERBEORT=
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