Indiumantimonid

Kristallstruktur
Datei:Sphalerite polyhedra.png
Vorlage:Farbe In3+ 0 Vorlage:Farbe Sb3−
Allgemeines
Name	Indiumantimonid
Verhältnisformel	InSb
Kurzbeschreibung	silbergrauer, geruchloser Feststoff<ref name="alfa"/>
Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer Vorlage:CASRN EG-Nummer 215-192-3 ECHA-InfoCard 100.013.812 PubChem 3468413 ChemSpider 2709929 DrugBank Wikidata [[:d:|]]
Eigenschaften
Molare Masse	236,6 g·mol−1
Aggregatzustand	fest
Dichte	5,75 g·cm−3<ref name="alfa" />
Schmelzpunkt	535 °C (Zersetzung)<ref name="alfa"/>
Löslichkeit	nahezu unlöslich in Wasser<ref name="alfa"/>
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung aus Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP),<ref name="CLP_100.240.780">Nicht explizit in Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP) gelistet, fällt aber mit der angegebenen Kennzeichnung unter den Gruppeneintrag Vorlage:Linktext-Check in der Datenbank ECHA CHEM der Europäischen Chemikalienagentur (ECHA)Vorlage:Abrufdatum Hersteller bzw. Inverkehrbringer können die harmonisierte Einstufung und Kennzeichnung erweitern.</ref> ggf. erweitert<ref name="alfa">Datenblatt Vorlage:Linktext-Check bei Alfa AesarVorlage:Abrufdatum (Seite nicht mehr abrufbar).</ref> Gefahrensymbol Gefahrensymbol Gefahr H- und P-Sätze H: 302​‐​332​‐​411 P: 261​‐​264​‐​273​‐​301+330+331​‐​391​‐​501<ref name="alfa" />
MAK	0,5 mg·m−3 (Sb). 0,1 mg·m−3 (In)<ref name="alfa"/>
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Indiumantimonid (InSb) ist eine chemische Verbindung aus Indium (In) und Antimon (Sb). Es zählt zu den III-V-Halbleitern.

Eigenschaften

Datei:Indium antimonide.jpg

Indiumantimonid

Undotiertes Indiumantimonid weist bei Raumtemperatur die größte Elektronenbeweglichkeit von 78.000 cm²/(V·s) von allen bekannten Halbleitern auf, wodurch sich auch die (im Vergleich zu anderen Materialien) extrem hohe Hall-Konstante von −2,4·10⁻⁴ m³/C erklärt. Es eignet sich besonders gut zur Herstellung von sehr schnellen elektronischen Schaltern.<ref>Vorlage:Cite book/URLVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/Meldung2</ref>

Außerdem wird Indiumantimonid in der Optoelektronik als Werkstoff für Infrarotsensoren benutzt, vor allem bei Wellenlängen von 1000 nm bis 5500 nm.

Halbleiterbauelemente aus Indiumantimonid weisen eine Diffusionsspannung unter 0,5 V auf, was geringere Betriebsspannungen und damit geringere Verlustleistungen als Silicium mit 0,7 V ermöglicht.

Gewinnung und Darstellung

Indiumantimonid bildet sich beim Zusammenschmelzen der beiden hochreinen Elemente:

<math>\mathrm{In\ +\ Sb \longrightarrow\ InSb} </math>

Verwendung

Eine Schicht von Indiumantimonid zwischen Aluminiumindiumantimonid kann als Quantentopf dienen. Daraus lassen sich sehr schnell schaltende Transistoren bauen.<ref>'Quantum well' transistor promises lean computing</ref> Bipolartransistoren lassen sich damit bis zu einer Grenzfrequenz von 85 GHz und Feldeffekttransistoren bis zu 200 GHz betreiben. Die Firmen Intel und QinetiQ entwickeln zusammen auf Indiumantimonid basierende Feldeffekttransistoren, deren Entwicklung derzeit (2010) nicht abgeschlossen ist.

Seit den 1950er Jahren dient es als Detektormaterial in Infrarotempfängern für militärische Anwendungen. So zum Beispiel in der amerikanischen AIM-9 Sidewinder Rakete.<ref name="Antonio Rogalski"></ref>

Einzelnachweise

<references />