Isamu Akasaki

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Isamu Akasaki (2011)

Isamu Akasaki ({{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Vorlage:lang:103: attempt to index field 'wikibase' (a nil value), Akasaki Isamu; * 30. Januar 1929 Chiran in der Präfektur Kagoshima; † 1. April 2021 in Nagoya) war ein japanischer Ingenieurwissenschaftler.

Akasaki stellte 1989 erstmals blaue Leuchtdioden, basierend auf dem p-n-Übergang, mit dem Halbleitermaterial Galliumnitrid her.<ref name="doi10.1143/JJAP.28.L2112">Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu and Isamu Akasaki, "P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 28 (1989) L2112-L2114, doi:10.1143/JJAP.28.L2112</ref> Er erhielt dafür im Jahr 2011 die von der IEEE vergebene Auszeichnung IEEE Edison Medal.<ref>IEEE Edison Medal Recipients. (PDF; 151 kB) IEEE, abgerufen am 23. Februar 2011 (Lua-Fehler in Modul:Multilingual, Zeile 153: attempt to index field 'data' (a nil value)). </ref> Im Jahr 2014 wurde er gemeinsam mit Hiroshi Amano und Shuji Nakamura mit dem Nobelpreis für Physik ausgezeichnet.

Leben und Wirken

Isamu Akasaki wurde in Chiran, heute Teil von Minamikyūshū in der Präfektur Kagoshima geboren.<ref name="nyt"/> Er studierte zunächst bis 1952 Elektrotechnik an der Universität Kyōto. Nach Tätigkeit in der Industrie ging er 1959 als Forschungsassistent an die Universität Nagoya, wo er 1964 promoviert wurde. Erste Arbeiten im Bereich der Optoelektronik und Leuchtdioden erfolgten in den späten 1960er und frühen 1970er Jahren, unter anderem bei Matsushita, wo er die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) zur Herstellung von Kristallen aus Galliumnitrid verwendete.<ref name="doi10.1143/JJAP.45.9001">Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, "Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p–n Junction Blue-Light-Emitting Diode", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 45 (2006) 9001-9010, doi:10.1143/JJAP.45.9001</ref> Im Jahr 1981 wurde er Professor an der Universität Nagoya und setzte dort die MOVPE zur Herstellung hochreiner Einkristalle aus Galliumnitrid (GaN) auf einem Saphir als Substrat ein. Dieses hochreine GaN konnte er in der Folge mit Magnesium p-dotieren, zur n-Dotierung kam Silizium zur Anwendung, so dass er in Summe einen p-n-Übergang mit GaN herstellen konnte, welcher als direkter Halbleiter eine Bandlücke im blau-grünen Farbbereich aufweist. Damit gelang ihm 1989 die Herstellung der ersten effizienten blauen Leuchtdiode.<ref>H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, Y. Toyoda: Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer. In: Appl. Phys. Lett. Band 48, Nr. 5, S. 353–355, doi:10.1063/1.96549. </ref><ref name="doi10.1143/JJAP.28.L2112" /> Vorher gab es nur blaue LEDs, die auf dem indirekten Halbleiter Siliciumcarbid basierten. Diese LEDs kamen schon in den 1970ern auf den Markt, konnten sich aber aufgrund der geringen Effizienz nie durchsetzen. Im Jahr 1992 wurde er emeritiert und ging als Professor und Direktor des Research Center for Nitride Semiconductor Core Technologies an die Meijō-Universität, wo er bis 2019 tätig war.<ref name="nyt"/> Dort und an der Universität Nagoya führte Akasaki einen großen Teil der Arbeiten durch, für die er später den Nobelpreis erhielt.<ref name="physnews"/>

Akasaki wurden für seine Forschungen hunderte von Patenten erteilt. Mit Lizenzgebühren für Patente aus seiner Arbeit mit seinem damaligen Studenten Hiroshi Amano wurde an der Universität Nagoya ein neues Forschungsinstitut, das 2006 fertiggestellte Nagoya University Akasaki Institute finanziert.<ref name="nyt"/>

Isamu Akasaki starb Anfang April 2021 in einem Krankenhaus in Nagoya an einer Lungenentzündung. Er wurde 92 Jahre alt.<ref name="nyt">Scott Veale: Isamu Akasaki, 92, Dies; Nobel Winner Lit Up the World With LEDs. In: nytimes.com. 6. April 2021, abgerufen am 28. Juli 2025 (Lua-Fehler in Modul:Multilingual, Zeile 153: attempt to index field 'data' (a nil value)). </ref><ref name="physnews">Michael Banks: Japanese Nobel-prize-winning semiconductor pioneer Isamu Akasaki dies aged 92. 6. April 2021, abgerufen am 28. Juli 2025 (Lua-Fehler in Modul:Multilingual, Zeile 153: attempt to index field 'data' (a nil value)). </ref>

Ehrungen und Auszeichnungen (Auswahl)

2002 Outstanding Achievement Award (engl. für Gyōseki-shō) von der Japan Society of Applied Physics (JSAP) (Ōyō Butsuri Gakkai)
2002 Orden der Aufgehenden Sonne, japanische Auszeichnung für außergewöhnliche Verdienste im zivilen oder militärischen Bereich
2004 Person mit besonderen kulturellen Verdiensten
2009 Kyoto-Preis, im Bereich Optoelektronik
2011 IEEE Edison Medal
2011 Kulturorden
2014 Nobelpreis für Physik
2015 Charles-Stark-Draper-Preis
2021 Queen Elizabeth Prize for Engineering

Weblinks

Commons: Isamu Akasaki – Sammlung von Bildern, Videos und Audiodateien

Einzelnachweise

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Personendaten
NAME	Akasaki, Isamu
ALTERNATIVNAMEN	赤崎勇 (japanisch)
KURZBESCHREIBUNG	japanischer Wissenschaftler und Entwickler der blauen Leuchtdiode
GEBURTSDATUM	30. Januar 1929
GEBURTSORT	Chiran, Präfektur Kagoshima
STERBEDATUM	1. April 2021
STERBEORT	Nagoya